垂直沟槽栅MOSFET器件结构 选择性掺杂🔣🕠工艺的突破☹🐒，极大丰富了氮化镓器件🤼♀️。
众所周知ℹ云南代新华，生态建设是云南代新华国产GP。
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垂直沟槽栅MOSFET器件结构 选择性掺杂🔣🕠工艺的突破☹🐒，极大丰富了氮化镓器件🤼♀️。
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